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- 品番:
- JANTXV1N649-1
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-整流器-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-SCR, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ブリッジ整流器 and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N649-1 electronic components. JANTXV1N649-1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N649-1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
JANTXV1N649-1 製品の属性
品番 :
JANTXV1N649-1
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
シリーズ :
Military, MIL-PRF-19500/240
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
600V
電流-平均整流（Io） :
400mA
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1V @ 400mA
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
-
電流-Vrでの逆漏れ :
50nA @ 600V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
DO-204AH, DO-35, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-35
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 175°C
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