Infineon Technologies - BSP125H6327XTSA1

KEY Part #: K6420690

BSP125H6327XTSA1 価格設定(USD) [232472個在庫]

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品番:
BSP125H6327XTSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSP125H6327XTSA1 製品の属性

品番 : BSP125H6327XTSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
シリーズ : SIPMOS®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 120mA (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 45 Ohm @ 120mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.3V @ 94µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 6.6nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 150pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.8W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-SOT223-4
パッケージ/ケース : TO-261-4, TO-261AA

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