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- 品番:
- HGT1S2N120CN
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- IGBT 1200V 13A 104W I2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor HGT1S2N120CN electronic components. HGT1S2N120CN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HGT1S2N120CN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HGT1S2N120CN 製品の属性
品番 :
HGT1S2N120CN
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
IGBT 1200V 13A 104W I2PAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
IGBTタイプ :
NPT
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
13A
電流-パルスコレクター（Icm） :
20A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.4V @ 15V, 2.6A
パワー-最大 :
104W
スイッチングエネルギー :
96µJ (on), 355µJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
30nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
25ns/205ns
試験条件 :
960V, 2.6A, 51 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
-
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-262
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