IPD80R4K5P7ATMA1 価格設定（USD） [277798個在庫]
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- 品番:
- IPD80R4K5P7ATMA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 800V 1.5A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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IPD80R4K5P7ATMA1 製品の属性
品番 :
IPD80R4K5P7ATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 800V 1.5A DPAK
シリーズ :
CoolMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
800V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1.5A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
4.5 Ohm @ 400mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.5V @ 200µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
4nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
80pF @ 500V
FET機能 :
Super Junction
消費電力（最大） :
13W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-252
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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