Rohm Semiconductor - RF4E080BNTR

KEY Part #: K6394318

RF4E080BNTR 価格設定(USD) [396411個在庫]

  • 1 pcs$0.10315
  • 3,000 pcs$0.10264

品番:
RF4E080BNTR
メーカー:
Rohm Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Rohm Semiconductor RF4E080BNTR electronic components. RF4E080BNTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RF4E080BNTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RF4E080BNTR 製品の属性

品番 : RF4E080BNTR
メーカー : Rohm Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 8A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 17.6 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 14.5nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 660pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2W (Ta)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : HUML2020L8
パッケージ/ケース : 8-PowerUDFN

あなたも興味があるかもしれません
  • ZVN4424ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 0.26A TO92-3.

  • ZVN4210ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3.

  • ZVN0545ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 450V 0.09A TO92-3.

  • FDD86569-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 90A DPAK.

  • IRLIZ44G

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP.

  • IRFI830G

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220FP.