SCS312AHGC9 価格設定（USD） [13474個在庫]
- 1 pcs$3.05846
- 品番:
- SCS312AHGC9
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- SHORTER RECOVERY TIME ENABLING. Schottky Diodes & Rectifiers 650V;12A;78W SiC SBD TO-220ACP
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, パワードライバーモジュール, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor SCS312AHGC9 electronic components. SCS312AHGC9 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SCS312AHGC9, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SCS312AHGC9 製品の属性
品番 :
SCS312AHGC9
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
SHORTER RECOVERY TIME ENABLING
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Silicon Carbide Schottky
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
650V
電流-平均整流（Io） :
12A (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
-
速度 :
No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間（trr） :
0ns
電流-Vrでの逆漏れ :
60µA @ 650V
静電容量@ Vr、F :
600pF @ 1V, 1MHz
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-220-2
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220ACP
動作温度-ジャンクション :
175°C (Max)
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