MUR4L60HB0G 価格設定（USD） [358318個在庫]
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- 品番:
- MUR4L60HB0G
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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MUR4L60HB0G 製品の属性
品番 :
MUR4L60HB0G
メーカー :
Taiwan Semiconductor Corporation
説明 :
DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
600V
電流-平均整流（Io） :
4A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.28V @ 4A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
50ns
電流-Vrでの逆漏れ :
10µA @ 600V
静電容量@ Vr、F :
65pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
DO-201AD, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-201AD
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 175°C
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