V10P12HM3_A/I 価格設定（USD） [299959個在庫]
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- 品番:
- V10P12HM3_A/I
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 120V 10A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 10A, 120V, SMPC, TRENCH SKY RECT.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division V10P12HM3_A/I electronic components. V10P12HM3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for V10P12HM3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
V10P12HM3_A/I 製品の属性
品番 :
V10P12HM3_A/I
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 120V 10A TO277A
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS®
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
120V
電流-平均整流（Io） :
10A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
820mV @ 10A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
-
電流-Vrでの逆漏れ :
400µA @ 120V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-277, 3-PowerDFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-277A (SMPC)
動作温度-ジャンクション :
-40°C ~ 150°C
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- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
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- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
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- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18