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ON Semiconductor - FQU9N25TU

KEY Part #: K6418423

FQU9N25TU 価格設定（USD） [63190個在庫]

  • 1 pcs$0.61879
  • 5,040 pcs$0.25153
品番:
FQU9N25TU
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 250V 7.4A IPAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FQU9N25TU electronic components. FQU9N25TU can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQU9N25TU, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQU9N25TU 製品の属性

品番 : FQU9N25TU
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 250V 7.4A IPAK
シリーズ : QFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 250V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 7.4A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 420 mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs（最大） : ±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 700pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 2.5W (Ta), 55W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : I-PAK
パッケージ/ケース : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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