Vishay Semiconductor Diodes Division - BYV26EGPHE3/73

KEY Part #: K6446952

[1590個在庫]


    品番:
    BYV26EGPHE3/73
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-特別な目的, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BYV26EGPHE3/73 製品の属性

    品番 : BYV26EGPHE3/73
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC
    シリーズ : SUPERECTIFIER®
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオードタイプ : Standard
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 1000V
    電流-平均整流(Io) : 1A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 2.5V @ 1A
    速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : 75ns
    電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 1000V
    静電容量@ Vr、F : 15pF @ 4V, 1MHz
    取付タイプ : Through Hole
    パッケージ/ケース : DO-204AC, DO-15, Axial
    サプライヤーデバイスパッケージ : DO-204AC (DO-15)
    動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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