[2154個在庫]
- 品番:
- RJK2057DPA-00#J0
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 200V 20A WPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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- We specialize in Renesas Electronics America RJK2057DPA-00#J0 electronic components. RJK2057DPA-00#J0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RJK2057DPA-00#J0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RJK2057DPA-00#J0 製品の属性
品番 :
RJK2057DPA-00#J0
メーカー :
Renesas Electronics America
説明 :
MOSFET N-CH 200V 20A WPAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
20A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
85 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
-
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
19nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1250pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
30W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-WPAK
パッケージ/ケース :
8-PowerWDFN
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