BAV21W-G3-18 価格設定（USD） [2423462個在庫]
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- 品番:
- BAV21W-G3-18
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 250 Volt 200mA 50ns 1A IFSM
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAV21W-G3-18 electronic components. BAV21W-G3-18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAV21W-G3-18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAV21W-G3-18 製品の属性
品番 :
BAV21W-G3-18
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD123
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
200V
電流-平均整流（Io） :
250mA (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1V @ 100mA
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
50ns
電流-Vrでの逆漏れ :
100nA @ 150V
静電容量@ Vr、F :
1.5pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOD-123
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOD-123
動作温度-ジャンクション :
175°C (Max)
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- FES8AT-E3/45
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