1N4150W-HE3-18 価格設定（USD） [2750629個在庫]
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- 品番:
- 1N4150W-HE3-18
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N4150W-HE3-18 electronic components. 1N4150W-HE3-18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4150W-HE3-18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N4150W-HE3-18 製品の属性
品番 :
1N4150W-HE3-18
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
50V
電流-平均整流（Io） :
200mA
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1V @ 200mA
速度 :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
逆回復時間（trr） :
4ns
電流-Vrでの逆漏れ :
100nA @ 50V
静電容量@ Vr、F :
2.5pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOD-123
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOD-123
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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ホットパーツ
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- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
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- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
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- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
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- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
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- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
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