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Microsemi Corporation - APTC80DA15T1G

KEY Part #: K6413165

[13194個在庫]

    品番:
    APTC80DA15T1G
    メーカー:
    Microsemi Corporation
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 800V 28A SP1.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-JFET, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-SCR, サイリスタ-トライアック, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Microsemi Corporation APTC80DA15T1G electronic components. APTC80DA15T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTC80DA15T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTC80DA15T1G 製品の属性

    品番 : APTC80DA15T1G
    メーカー : Microsemi Corporation
    説明 : MOSFET N-CH 800V 28A SP1
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 800V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 28A (Tc)
    駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 150 mOhm @ 14A, 10V
    Vgs（th）（最大）@ Id : 3.9V @ 2mA
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 180nC @ 10V
    Vgs（最大） : ±30V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 4507pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力（最大） : 277W (Tc)
    動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Chassis Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : SP1
    パッケージ/ケース : SP1

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