Taiwan Semiconductor Corporation - BYG20D R3G

KEY Part #: K6445386

BYG20D R3G 価格設定(USD) [946572個在庫]

  • 1 pcs$0.03908

品番:
BYG20D R3G
メーカー:
Taiwan Semiconductor Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AC. Rectifiers 1.5 AMPS, 200V High Efficient
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation BYG20D R3G electronic components. BYG20D R3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYG20D R3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYG20D R3G 製品の属性

品番 : BYG20D R3G
メーカー : Taiwan Semiconductor Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AC
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 200V
電流-平均整流(Io) : 1.5A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.4V @ 1.5A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 75ns
電流-Vrでの逆漏れ : 1µA @ 200V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-214AC, SMA
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-214AC (SMA)
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

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