Bourns Inc. - CD1005-S01575

KEY Part #: K6445035

CD1005-S01575 価格設定(USD) [2245個在庫]

  • 4,000 pcs$0.01910

品番:
CD1005-S01575
メーカー:
Bourns Inc.
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 75V 150MA 1005.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Bourns Inc. CD1005-S01575 electronic components. CD1005-S01575 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CD1005-S01575, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CD1005-S01575 製品の属性

品番 : CD1005-S01575
メーカー : Bourns Inc.
説明 : DIODE GEN PURP 75V 150MA 1005
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 75V
電流-平均整流(Io) : 150mA
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1V @ 50mA
速度 : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
逆回復時間(trr) : 4ns
電流-Vrでの逆漏れ : 2.5µA @ 75V
静電容量@ Vr、F : 4pF @ 1V, 100MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 1005 (2512 Metric)
サプライヤーデバイスパッケージ : 1005
動作温度-ジャンクション : -40°C ~ 125°C

あなたも興味があるかもしれません
  • RD0506T-TL-H

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA.

  • RD0106T-TL-H

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 1A TPFA.

  • RD0504T-TL-H

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 400V 5A TPFA.

  • VS-50WQ06FNPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

  • GPP100MS-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 10A P600.

  • USB260-E3/52T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA.