Vishay Semiconductor Diodes Division - GBU4B-M3/45

KEY Part #: K6539077

GBU4B-M3/45 価格設定(USD) [111197個在庫]

  • 1 pcs$0.33263
  • 1,600 pcs$0.31679

品番:
GBU4B-M3/45
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
BRIDGE RECT 1PHASE 100V 4A GBU. Bridge Rectifiers 4A,100V,GPP,INLINE BRIDGE
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, パワードライバーモジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GBU4B-M3/45 electronic components. GBU4B-M3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GBU4B-M3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GBU4B-M3/45 製品の属性

品番 : GBU4B-M3/45
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : BRIDGE RECT 1PHASE 100V 4A GBU
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Single Phase
技術 : Standard
電圧-ピーク逆方向(最大) : 100V
電流-平均整流(Io) : 4A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1V @ 4A
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 100V
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : 4-SIP, GBU
サプライヤーデバイスパッケージ : GBU

あなたも興味があるかもしれません
  • MB2S/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 200V TO269AA.

  • MB2S45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 200V TO269AA.

  • VS-GBPC3502W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 200V 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 200 Volt 35 Amp

  • VS-GBPC2506W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 600V 25A GBPC-W. Bridge Rectifiers 600 Volt 25 Amp

  • VS-GBPC3508W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 800V 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 800 Volt 35 Amp

  • VS-GBPC2508W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 800V 25A GBPC-W. Bridge Rectifiers 800 Volt 25 Amp