Vishay Semiconductor Diodes Division - VSIB6A80-E3/45

KEY Part #: K6541819

[12248個在庫]


    品番:
    VSIB6A80-E3/45
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    BRIDGE RECT 1P 800V 2.8A GSIB-5S.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    VSIB6A80-E3/45 製品の属性

    品番 : VSIB6A80-E3/45
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : BRIDGE RECT 1P 800V 2.8A GSIB-5S
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオードタイプ : Single Phase
    技術 : Standard
    電圧-ピーク逆方向(最大) : 800V
    電流-平均整流(Io) : 2.8A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1V @ 3A
    電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 800V
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    パッケージ/ケース : 4-SIP, GSIB-5S
    サプライヤーデバイスパッケージ : GSIB-5S

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