Vishay Semiconductor Diodes Division - VSIB6A80-E3/45

KEY Part #: K6541819

[12248個在庫]


    品番:
    VSIB6A80-E3/45
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    BRIDGE RECT 1P 800V 2.8A GSIB-5S.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR-モジュール, パワードライバーモジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VSIB6A80-E3/45 electronic components. VSIB6A80-E3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VSIB6A80-E3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    VSIB6A80-E3/45 製品の属性

    品番 : VSIB6A80-E3/45
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : BRIDGE RECT 1P 800V 2.8A GSIB-5S
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオードタイプ : Single Phase
    技術 : Standard
    電圧-ピーク逆方向(最大) : 800V
    電流-平均整流(Io) : 2.8A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1V @ 3A
    電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 800V
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    パッケージ/ケース : 4-SIP, GSIB-5S
    サプライヤーデバイスパッケージ : GSIB-5S

    あなたも興味があるかもしれません
    • E-L6210

      STMicroelectronics

      BRIDGE RECT 1P 50V 2A 16DIP.

    • GBPC15005W/1

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      BRIDGE RECT 1P 50V 15A GBPC-W.

    • DBA250G

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A.

    • DBG250G

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.6A.

    • PBPC1007

      Diodes Incorporated

      BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A PBPC-8.

    • PBPC1001

      Diodes Incorporated

      BRIDGE RECT 1PHASE 50V 8A PBPC-8.