Vishay Semiconductor Diodes Division - G3SBA60L-M3/51

KEY Part #: K6541508

G3SBA60L-M3/51 価格設定(USD) [12352個在庫]

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品番:
G3SBA60L-M3/51
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, パワードライバーモジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-アレイ and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

G3SBA60L-M3/51 製品の属性

品番 : G3SBA60L-M3/51
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
ダイオードタイプ : Single Phase
技術 : Standard
電圧-ピーク逆方向(最大) : 600V
電流-平均整流(Io) : 2.3A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1V @ 2A
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 600V
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : 4-SIP, GBU
サプライヤーデバイスパッケージ : GBU

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