Vishay Semiconductor Diodes Division - G3SBA60L-M3/51

KEY Part #: K6541508

G3SBA60L-M3/51 価格設定(USD) [12352個在庫]

  • 2,000 pcs$0.24916

品番:
G3SBA60L-M3/51
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division G3SBA60L-M3/51 electronic components. G3SBA60L-M3/51 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for G3SBA60L-M3/51, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

G3SBA60L-M3/51 製品の属性

品番 : G3SBA60L-M3/51
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
ダイオードタイプ : Single Phase
技術 : Standard
電圧-ピーク逆方向(最大) : 600V
電流-平均整流(Io) : 2.3A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1V @ 2A
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 600V
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : 4-SIP, GBU
サプライヤーデバイスパッケージ : GBU

あなたも興味があるかもしれません
  • MBL106S-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A 4SMD.

  • DBD10G-E

    ON Semiconductor

    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A.

  • NSR1030QMUTAG

    ON Semiconductor

    BRIDGE RECT 1PHASE 30V 1A 4UDFN. Schottky Diodes & Rectifiers 1A 30 V SCHOTTKY FULL

  • NSR2030QMUTAG

    ON Semiconductor

    BRIDGE RECT 1PHASE 30V 2A 4UDFN. Schottky Diodes & Rectifiers 2A 30 V SCHOTTKY FUL

  • DBA500G

    ON Semiconductor

    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 50A.

  • DBA40G-K20

    ON Semiconductor

    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.6A.