[8387個在庫]
- 品番:
- IRF7807D2TR
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-JFET and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRF7807D2TR electronic components. IRF7807D2TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7807D2TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF7807D2TR 製品の属性
品番 :
IRF7807D2TR
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
シリーズ :
FETKY™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
8.3A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
25 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
17nC @ 5V
Vgs（最大） :
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
FET機能 :
Schottky Diode (Isolated)
消費電力（最大） :
2.5W (Tc)
動作温度 :
-
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SO
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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