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Microsemi Corporation - JAN1N5811

KEY Part #: K6428072

JAN1N5811 価格設定（USD） [9989個在庫]

  • 1 pcs$4.37133
  • 104 pcs$4.34958
品番:
JAN1N5811
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 6A SFST 150V
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N5811 electronic components. JAN1N5811 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N5811, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5811 製品の属性

品番 : JAN1N5811
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL
シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/477
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 150V
電流-平均整流（Io） : 6A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 875mV @ 4A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : 30ns
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 150V
静電容量@ Vr、F : 60pF @ 10V, 1MHz
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : B, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : -
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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