メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
4.8A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
1.8V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
26 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id :
1.2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
4.5nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
450pF @ 6V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
U-WLB1010-4
パッケージ/ケース :
4-UFBGA, WLBGA