Microsemi Corporation - 1N647-1

KEY Part #: K6449814

1N647-1 価格設定(USD) [30461個在庫]

  • 1 pcs$1.30447
  • 10 pcs$1.17887
  • 25 pcs$0.99876
  • 100 pcs$0.89887
  • 250 pcs$0.79899
  • 500 pcs$0.69911
  • 1,000 pcs$0.57927
  • 2,500 pcs$0.53932

品番:
1N647-1
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-JFET, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation 1N647-1 electronic components. 1N647-1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N647-1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N647-1 製品の属性

品番 : 1N647-1
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 400V
電流-平均整流(Io) : 400mA
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1V @ 400mA
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 50nA @ 400V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : DO-204AH, DO-35, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-35
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

あなたも興味があるかもしれません
  • CSD04060E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-2.

  • RURD4120S9A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 1.2KV 4A DPAK.

  • MA3X70300L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 20V 500MA MINI3.

  • FYV0203SMTF

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

  • CSD06060G

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO263-2.

  • CSD02060G

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 3.5A TO263-2.