Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-1N1190R

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VS-1N1190R 価格設定(USD) [11335個在庫]

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品番:
VS-1N1190R
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB. Rectifiers 600 Volt 35 Amp
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-1N1190R 製品の属性

品番 : VS-1N1190R
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard, Reverse Polarity
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
電流-平均整流(Io) : 35A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.7V @ 110A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 10mA @ 600V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Chassis, Stud Mount
パッケージ/ケース : DO-203AB, DO-5, Stud
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-203AB
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 190°C

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