1N4448W-HE3-18 価格設定（USD） [2422835個在庫]
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- 品番:
- 1N4448W-HE3-18
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N4448W-HE3-18 electronic components. 1N4448W-HE3-18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4448W-HE3-18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N4448W-HE3-18 製品の属性
品番 :
1N4448W-HE3-18
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
75V
電流-平均整流（Io） :
150mA
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
720mV @ 5mA
速度 :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
逆回復時間（trr） :
4ns
電流-Vrでの逆漏れ :
5µA @ 75V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOD-123
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOD-123
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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