1N4448W-HE3-18 価格設定（USD） [2422835個在庫]
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- 品番:
- 1N4448W-HE3-18
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N4448W-HE3-18 electronic components. 1N4448W-HE3-18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4448W-HE3-18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N4448W-HE3-18 製品の属性
品番 :
1N4448W-HE3-18
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
75V
電流-平均整流（Io） :
150mA
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
720mV @ 5mA
速度 :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
逆回復時間（trr） :
4ns
電流-Vrでの逆漏れ :
5µA @ 75V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOD-123
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOD-123
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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