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Microsemi Corporation - APT50GN60BDQ2G

KEY Part #: K6422166

APT50GN60BDQ2G 価格設定（USD） [14536個在庫]

  • 1 pcs$3.45949
  • 10 pcs$3.11178
  • 25 pcs$2.83493
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  • 1,000 pcs$1.86696
品番:
APT50GN60BDQ2G
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
IGBT 600V 107A 366W TO247.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-JFET, パワードライバーモジュール, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation APT50GN60BDQ2G electronic components. APT50GN60BDQ2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT50GN60BDQ2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT50GN60BDQ2G 製品の属性

品番 : APT50GN60BDQ2G
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : IGBT 600V 107A 366W TO247
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Trench Field Stop
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） : 600V
電流-コレクター（Ic）（最大） : 107A
電流-パルスコレクター（Icm） : 150A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC : 1.85V @ 15V, 50A
パワー-最大 : 366W
スイッチングエネルギー : 1185µJ (on), 1565µJ (off)
入力方式 : Standard
ゲートチャージ : 325nC
Td（オン/オフ）@ 25°C : 20ns/230ns
試験条件 : 400V, 50A, 4.3 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） : -
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247 [B]

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