Diodes Incorporated - DMP21D6UFB4-7B

KEY Part #: K6393699

DMP21D6UFB4-7B 価格設定(USD) [839208個在庫]

  • 1 pcs$0.04407

品番:
DMP21D6UFB4-7B
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET BVDSS 8V-24V X2-DFN1006-.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-アレイ and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMP21D6UFB4-7B 製品の属性

品番 : DMP21D6UFB4-7B
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET BVDSS 8V-24V X2-DFN1006-
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 580mA (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.8V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 0.8nC @ 8V
Vgs(最大) : ±8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 46.1pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 510mW (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : X2-DFN1006-3
パッケージ/ケース : 3-XFDFN

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