FDMS8050 価格設定（USD） [59982個在庫]
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- 品番:
- FDMS8050
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FDMS8050 electronic components. FDMS8050 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDMS8050, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDMS8050 製品の属性
品番 :
FDMS8050
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
55A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
0.65 mOhm @ 55A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 750µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
285nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
22610pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
156W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-PQFN (5x6)
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
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