APT45GP120B2DQ2G 価格設定（USD） [4228個在庫]
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- 品番:
- APT45GP120B2DQ2G
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- IGBT 1200V 113A 625W TMAX.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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APT45GP120B2DQ2G 製品の属性
品番 :
APT45GP120B2DQ2G
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
IGBT 1200V 113A 625W TMAX
シリーズ :
POWER MOS 7®
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
PT
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
113A
電流-パルスコレクター（Icm） :
170A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
3.9V @ 15V, 45A
パワー-最大 :
625W
スイッチングエネルギー :
900µJ (on), 905µJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
185nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
18ns/100ns
試験条件 :
600V, 45A, 5 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
-
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-247-3 Variant
サプライヤーデバイスパッケージ :
-
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