Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-1N2133RA

KEY Part #: K6433080

VS-1N2133RA 価格設定(USD) [10863個在庫]

  • 1 pcs$4.00318
  • 100 pcs$3.98327

品番:
VS-1N2133RA
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 300V 60A DO203AB. Rectifiers 300 Volt 60 Amp
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ブリッジ整流器 and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-1N2133RA electronic components. VS-1N2133RA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-1N2133RA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-1N2133RA 製品の属性

品番 : VS-1N2133RA
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 300V 60A DO203AB
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard, Reverse Polarity
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 300V
電流-平均整流(Io) : 60A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.3V @ 188A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 10mA @ 300V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Chassis, Stud Mount
パッケージ/ケース : DO-203AB, DO-5, Stud
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-203AB
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 200°C

あなたも興味があるかもしれません
  • BAS16WT-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 150mA 75V

  • VS-16F20

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 16A DO203AA. Rectifiers 200 Volt 16 Amp

  • V3FM10HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    3A100VSMFTRENCH SKY RECT..

  • V2FM12HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    2A120VSMFTRENCH SKY RECT..

  • V3FL45HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    3A45VSMFTRENCH SKY RECT..

  • V3FM12HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    3A120VSMFTRENCH SKY RECT..