S5M-E3/9AT 価格設定（USD） [526435個在庫]
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- 品番:
- S5M-E3/9AT
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB. Rectifiers 1000 Volt 5.0 Amp 100 Amp IFSM
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-RF and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division S5M-E3/9AT electronic components. S5M-E3/9AT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S5M-E3/9AT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
S5M-E3/9AT 製品の属性
品番 :
S5M-E3/9AT
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
1000V
電流-平均整流（Io） :
5A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.15V @ 5A
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
2.5µs
電流-Vrでの逆漏れ :
10µA @ 1000V
静電容量@ Vr、F :
40pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-214AB, SMC
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-214AB (SMC)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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