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ON Semiconductor - NVMFS5832NLT1G

KEY Part #: K6400750

NVMFS5832NLT1G 価格設定（USD） [138783個在庫]

  • 1 pcs$0.26651
  • 1,500 pcs$0.24230
品番:
NVMFS5832NLT1G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-トライアック, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NVMFS5832NLT1G electronic components. NVMFS5832NLT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMFS5832NLT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFS5832NLT1G 製品の属性

品番 : NVMFS5832NLT1G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 21A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 4.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 2.4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 51nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 2700pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 3.7W (Ta), 127W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN

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