Rohm Semiconductor - RW1A025APT2CR

KEY Part #: K6421645

RW1A025APT2CR 価格設定(USD) [1237055個在庫]

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品番:
RW1A025APT2CR
メーカー:
Rohm Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT6.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, パワードライバーモジュール, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RW1A025APT2CR 製品の属性

品番 : RW1A025APT2CR
メーカー : Rohm Semiconductor
説明 : MOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT6
シリーズ : -
部品ステータス : Not For New Designs
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 12V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 2.5A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 62 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 16nC @ 4.5V
Vgs(最大) : -8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2000pF @ 6V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 400mW (Ta)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 6-WEMT
パッケージ/ケース : SOT-563, SOT-666

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