Vishay Siliconix - SIA444DJT-T1-GE3

KEY Part #: K6416297

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品番:
SIA444DJT-T1-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 12A SC-70.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-JFET, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIA444DJT-T1-GE3 製品の属性

品番 : SIA444DJT-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 30V 12A SC-70
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 12A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 17 mOhm @ 7.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 560pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3.5W (Ta), 19W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® SC-70-6 Single
パッケージ/ケース : PowerPAK® SC-70-6