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Comchip Technology - 1N4001-G

KEY Part #: K6456076

1N4001-G 価格設定（USD） [5808784個在庫]

  • 1 pcs$0.00672
  • 5,000 pcs$0.00669
  • 10,000 pcs$0.00581
  • 25,000 pcs$0.00523
  • 50,000 pcs$0.00465
  • 125,000 pcs$0.00388
品番:
1N4001-G
メーカー:
Comchip Technology
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 50V 1A DO41. Rectifiers VR=50V, IO=1A
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Comchip Technology 1N4001-G electronic components. 1N4001-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4001-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N4001-G 製品の属性

品番 : 1N4001-G
メーカー : Comchip Technology
説明 : DIODE GEN PURP 50V 1A DO41
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 50V
電流-平均整流（Io） : 1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.1V @ 1A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : -
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 50V
静電容量@ Vr、F : 15pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : DO-204AL, DO-41, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-41
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

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