Infineon Technologies - FS150R17KE3GBOSA1

KEY Part #: K6533785

FS150R17KE3GBOSA1 価格設定(USD) [249個在庫]

  • 1 pcs$185.93664

品番:
FS150R17KE3GBOSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOD IGBT MED PWR ECONOPP-1.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-SCR, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies FS150R17KE3GBOSA1 electronic components. FS150R17KE3GBOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FS150R17KE3GBOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FS150R17KE3GBOSA1 製品の属性

品番 : FS150R17KE3GBOSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOD IGBT MED PWR ECONOPP-1
シリーズ : EconoPACK™+
部品ステータス : Not For New Designs
IGBTタイプ : Trench Field Stop
構成 : Full Bridge
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1700V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 240A
パワー-最大 : 1050W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.45V @ 15V, 150A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 3mA
入力容量(Cies)@ Vce : 13.5nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : Yes
動作温度 : -40°C ~ 125°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module

あなたも興味があるかもしれません
  • VS-GA250SA60S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 400A SOT227.

  • VS-50MT060WHTAPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 114A 658W MTP.

  • VS-CPV364M4FPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-GT80DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    OUTPUT SW MODULES - SOT-227 IG.

  • VS-GT100DA120UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    OUTPUT SW MODULES - SOT-227 IG.

  • VS-GA200SA60UP

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 200A 500W SOT-227.