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- 品番:
- IRFI9530N
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 100V 7.7A TO-220FP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-JFET, ダイオード-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRFI9530N electronic components. IRFI9530N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFI9530N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFI9530N 製品の属性
品番 :
IRFI9530N
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET P-CH 100V 7.7A TO-220FP
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
7.7A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
-
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
300 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
38nC @ 10V
Vgs（最大） :
-
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
860pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
-
動作温度 :
-
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220AB Full-Pak
パッケージ/ケース :
TO-220-3 Full Pack
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