Infineon Technologies - F475R07W2H3B51BOMA1

KEY Part #: K6541391

[4078個在庫]


    品番:
    F475R07W2H3B51BOMA1
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    MOD DIODE BRIDGE EASY2B-2-1.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Infineon Technologies F475R07W2H3B51BOMA1 electronic components. F475R07W2H3B51BOMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for F475R07W2H3B51BOMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    F475R07W2H3B51BOMA1 製品の属性

    品番 : F475R07W2H3B51BOMA1
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : MOD DIODE BRIDGE EASY2B-2-1
    シリーズ : -
    部品ステータス : Discontinued at Digi-Key
    ダイオードタイプ : -
    技術 : -
    電圧-ピーク逆方向(最大) : -
    電流-平均整流(Io) : -
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : -
    電流-Vrでの逆漏れ : -
    動作温度 : -
    取付タイプ : -
    パッケージ/ケース : -
    サプライヤーデバイスパッケージ : -

    あなたも興味があるかもしれません
    • DBD10G-E

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A.

    • NSR1030QMUTAG

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 30V 1A 4UDFN. Schottky Diodes & Rectifiers 1A 30 V SCHOTTKY FULL

    • NSR2030QMUTAG

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 30V 2A 4UDFN. Schottky Diodes & Rectifiers 2A 30 V SCHOTTKY FUL

    • DBB08G-TM-E

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1P 600V 800MA 4SMD.

    • KBP210-BP

      Micro Commercial Co

      BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A KBPR.

    • TB10S-G

      Comchip Technology

      BRIDGE RECT 1P 1KV 800MA 4TBS.