Vishay Semiconductor Diodes Division - GBU8K-5410E3/51

KEY Part #: K6541017

[12515個在庫]


    品番:
    GBU8K-5410E3/51
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3.9A GBU.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GBU8K-5410E3/51 electronic components. GBU8K-5410E3/51 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GBU8K-5410E3/51, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    GBU8K-5410E3/51 製品の属性

    品番 : GBU8K-5410E3/51
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3.9A GBU
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオードタイプ : Single Phase
    技術 : Standard
    電圧-ピーク逆方向(最大) : 800V
    電流-平均整流(Io) : 3.9A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1V @ 8A
    電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 800V
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    パッケージ/ケース : 4-SIP, GBU
    サプライヤーデバイスパッケージ : GBU

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