Vishay Semiconductor Diodes Division - GBU8JL-5302E3/45

KEY Part #: K6541041

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    品番:
    GBU8JL-5302E3/45
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.9A GBU.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    GBU8JL-5302E3/45 製品の属性

    品番 : GBU8JL-5302E3/45
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.9A GBU
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオードタイプ : Single Phase
    技術 : Standard
    電圧-ピーク逆方向(最大) : 600V
    電流-平均整流(Io) : 3.9A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1V @ 8A
    電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 600V
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    パッケージ/ケース : 4-SIP, GBU
    サプライヤーデバイスパッケージ : GBU

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