Infineon Technologies - BSM10GD120DN2E3224BOSA1

KEY Part #: K6534591

BSM10GD120DN2E3224BOSA1 価格設定(USD) [1642個在庫]

  • 1 pcs$26.36640

品番:
BSM10GD120DN2E3224BOSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, パワードライバーモジュール and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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We specialize in Infineon Technologies BSM10GD120DN2E3224BOSA1 electronic components. BSM10GD120DN2E3224BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSM10GD120DN2E3224BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSM10GD120DN2E3224BOSA1 製品の属性

品番 : BSM10GD120DN2E3224BOSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1
シリーズ : -
部品ステータス : Not For New Designs
IGBTタイプ : -
構成 : Full Bridge
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 15A
パワー-最大 : 80W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 3.2V @ 15V, 10A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 400µA
入力容量(Cies)@ Vce : 530pF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : No
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module

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