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Microchip Technology - TP2520N8-G

KEY Part #: K6393481

TP2520N8-G 価格設定（USD） [94580個在庫]

  • 1 pcs$0.42355
  • 2,000 pcs$0.42144
品番:
TP2520N8-G
メーカー:
Microchip Technology
詳細な説明:
MOSFET P-CH 200V 0.26A SOT89-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-JFET, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microchip Technology TP2520N8-G electronic components. TP2520N8-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TP2520N8-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TP2520N8-G 製品の属性

品番 : TP2520N8-G
メーカー : Microchip Technology
説明 : MOSFET P-CH 200V 0.26A SOT89-3
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 260mA (Tj)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 12 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 2.4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : -
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 125pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 1.6W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-243AA (SOT-89)
パッケージ/ケース : TO-243AA
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