説明 :
IC GATE DVR HALF BRDG 3PH 28SOIC
部品ステータス :
Not For New Designs
門型 :
IGBT, N-Channel MOSFET
ロジック電圧-VIL、VIH :
0.8V, 2.5V
電流-ピーク出力(ソース、シンク) :
350mA, 650mA
ハイサイド電圧-最大(ブートストラップ) :
600V
立ち上がり/立ち下がり時間(標準) :
50ns, 30ns
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース :
28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
28-SOIC