説明 :
IC MOSFET DRVR LS 4A DUAL 16SOIC
門型 :
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
ロジック電圧-VIL、VIH :
0.8V, 2.5V
電流-ピーク出力(ソース、シンク) :
4A, 4A
立ち上がり/立ち下がり時間(標準) :
16ns, 13ns
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース :
16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
16-SOIC