RSD080N06TL 価格設定（USD） [202426個在庫]
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- 2,500 pcs$0.20099
- 品番:
- RSD080N06TL
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 8A CPT3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor RSD080N06TL electronic components. RSD080N06TL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RSD080N06TL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RSD080N06TL 製品の属性
品番 :
RSD080N06TL
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 60V 8A CPT3
シリーズ :
-
部品ステータス :
Not For New Designs
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
8A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
80 mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
9.4nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
380pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
15W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
CPT3
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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