Vishay Siliconix - SQV120N06-4M7L_GE3

KEY Part #: K6417898

SQV120N06-4M7L_GE3 価格設定(USD) [45191個在庫]

  • 1 pcs$0.86522

品番:
SQV120N06-4M7L_GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
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競争上の優位性:
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GB-T-27922
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ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQV120N06-4M7L_GE3 製品の属性

品番 : SQV120N06-4M7L_GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 120A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 4.7 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 230nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 8800pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 250W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-262-3
パッケージ/ケース : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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