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- 品番:
- SGH40N60UFDM1TU
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- IGBT 600V 40A 160W TO3P.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-トライアック, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor SGH40N60UFDM1TU electronic components. SGH40N60UFDM1TU can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SGH40N60UFDM1TU, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SGH40N60UFDM1TU 製品の属性
品番 :
SGH40N60UFDM1TU
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
IGBT 600V 40A 160W TO3P
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
IGBTタイプ :
-
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
600V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
40A
電流-パルスコレクター（Icm） :
160A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.6V @ 15V, 20A
パワー-最大 :
160W
スイッチングエネルギー :
160µJ (on), 200µJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
97nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
15ns/65ns
試験条件 :
300V, 20A, 10 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
60ns
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-3P-3, SC-65-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-3P
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