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- 品番:
- SGH40N60UFDM1TU
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- IGBT 600V 40A 160W TO3P.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor SGH40N60UFDM1TU electronic components. SGH40N60UFDM1TU can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SGH40N60UFDM1TU, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SGH40N60UFDM1TU 製品の属性
品番 :
SGH40N60UFDM1TU
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
IGBT 600V 40A 160W TO3P
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
IGBTタイプ :
-
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
600V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
40A
電流-パルスコレクター（Icm） :
160A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.6V @ 15V, 20A
パワー-最大 :
160W
スイッチングエネルギー :
160µJ (on), 200µJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
97nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
15ns/65ns
試験条件 :
300V, 20A, 10 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
60ns
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-3P-3, SC-65-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-3P
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