IXYS - IXTH120P065T

KEY Part #: K6394915

IXTH120P065T 価格設定(USD) [19066個在庫]

  • 1 pcs$2.49827
  • 30 pcs$2.48584

品番:
IXTH120P065T
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET P-CH 65V 120A TO-247.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-JFET, トランジスタ-特別な目的 and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS IXTH120P065T electronic components. IXTH120P065T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTH120P065T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH120P065T 製品の属性

品番 : IXTH120P065T
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET P-CH 65V 120A TO-247
シリーズ : TrenchP™
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 65V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 120A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 10 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 185nC @ 10V
Vgs(最大) : ±15V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 13200pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 298W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247 (IXTH)
パッケージ/ケース : TO-247-3