GeneSiC Semiconductor - MBRH200150R

KEY Part #: K6425559

MBRH200150R 価格設定(USD) [1942個在庫]

  • 1 pcs$22.29261
  • 50 pcs$14.03234

品番:
MBRH200150R
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE SCHOTTKY 200V 200A D-67.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-JFET, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MBRH200150R electronic components. MBRH200150R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBRH200150R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBRH200150R 製品の属性

品番 : MBRH200150R
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE SCHOTTKY 200V 200A D-67
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Schottky, Reverse Polarity
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 200V
電流-平均整流(Io) : 200A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 920mV @ 200A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 1mA @ 200V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : D-67
サプライヤーデバイスパッケージ : D-67
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C
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