STGB6M65DF2 価格設定（USD） [140845個在庫]
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- 品番:
- STGB6M65DF2
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- IGBT TRENCH 650V 12A D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STGB6M65DF2 electronic components. STGB6M65DF2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STGB6M65DF2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STGB6M65DF2 製品の属性
品番 :
STGB6M65DF2
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
IGBT TRENCH 650V 12A D2PAK
シリーズ :
M
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
Trench Field Stop
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
650V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
12A
電流-パルスコレクター（Icm） :
24A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2V @ 15V, 6A
パワー-最大 :
88W
スイッチングエネルギー :
36µJ (on), 200µJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
21.2nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
15ns/90ns
試験条件 :
400V, 6A, 22 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
140ns
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ :
D2PAK
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